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而第二篇論文明新科技大學 管理研究所碩士在職專班 顧鴻壽所指導 吳國緯的 3D NAND Flash智慧財產專利研究分析 (2017),提出因為有 三維快閃記憶體、非揮發性快閃記憶體、專利分析的重點而找出了 ssd硬碟1tb的解答。

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利用自適應位元編碼提升 TLC 快閃記憶體讀取效能

為了解決ssd硬碟1tb的問題,作者侯佳馨 這樣論述:

基於NAND的固態硬碟(Solid-State Drive)成為主流趨勢,因為它提供了高效能以及非揮發性資料儲存。隨著採取高位元密度單元,相鄰閾值電壓狀態之間的誤差邊界變得非常狹窄。現代固態硬碟採用低密度奇偶檢查 (Low-Density Parity-Check) 進行錯誤更正,它利用多個電壓感測來確定基於機率的位元輸入,而電壓感測的時間開銷很高。在這項研究中,我們發現閃存讀取延遲高度受位元編碼方法的影響,不同編碼方法之間的自適應切換提供了根據主機讀取資料的頻率來優化閃存讀取延遲的機會。具體來說,我們提出使用 2-3-2 編碼作為預設值,並使用 1-2-4 編碼將頻繁讀取的資料遷移到較快的

頁面。實驗結果顯示我們的設計與 1-2-4 Baseline、2-3-2 Baseline、1-2-4 FastRead 相比,分別減少了 50%、35%、23% 的讀取延遲。

3D NAND Flash智慧財產專利研究分析

為了解決ssd硬碟1tb的問題,作者吳國緯 這樣論述:

隨著數位消費電子產品的功能日益提升,儲存媒體已成為諸多消費電子產品設計中不可或缺的一環。也受惠於智慧型手機搭載的NAND Flash memory 存儲容量的持續提升,以及PC、伺服器、資料中心積極導入固態硬碟(SSD),而固態硬碟(SSD)的關鍵零組件正是NAND Flash memory,使得NAND Flash memory 的市場需求增長速度快到令人無法想像。各家廠商除了投入大量的資金積極擴廠和及併購相關產業外,更積極的研發高容量、讀寫速度快及低成本的產品。 伴隨著NAND Flash memory 製程技術邁入1x nm 以下、製程從 32 層切入到 64 奈米、再到

72 層、甚至 96 層的發展過程,架構邁向TCL、創新的立體3D NAND 結構、更低成本的設計、應用更趨於廣泛,也因此3D NAND Flash memory 的設計與製造生產過程必定會遭遇到許多瓶頸與挑戰。在面對這競爭激烈也刻不容緩的產業發展下,各家廠商在進行技術發展的同時,除了著重在如何找出關鍵技術領先群雄並避開各家專利衝突的發生之外,也應避免誤入專利權雷區就是一個很重要的課題了。 有鑒於此,本論文使用專利分析法,透過M-Trends 專利分析平台針對3D NANDFlash memory 產業進行專利趨勢分析,本次研究結果顯示1977-2018 年間有2,769 件專利申請件

數,由2005 年開始有明顯增加,2009~2015 年間最為蓬勃發展,但自2017 年開始各國專利申請件數都有明顯降低的趨勢,是否表是研發技術遇到瓶頸或是其他技術正悄悄發展,可由後續研究人員持續觀察。另外透過其他各項檢索結果來看,台灣在專利發展上雖然都能擠進前五大國家內,但進一步分析專利權人與發明人和公司別等檢索資訊後可發現,台灣在專利發展上較集中於特定廠商或是發明人身上,研發投入能量與其他國家比較起來也是較低,此部分在後續研究的方向上也是可列入持續觀察。關鍵詞:三維快閃記憶體、非揮發性快閃記憶體、專利分析