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明志科技大學 材料工程系碩士班 陳志平所指導 鄭達鴻的 小分子介面層在鈣鈦礦太陽能電池之應用 （2021），提出sgt半導體關鍵因素是什麼，來自於三苯胺、亞甲基芴、小分子電洞傳輸材料、P-i-n型鈣鈦礦太陽能電池。
而第二篇論文明新科技大學 電子工程系碩士在職專班 陳啟文所指導 林怡君的 使用堆疊磊晶層與遮罩摻雜於溝槽分離式閘極功率金氧半場效電晶體之最佳化設計 （2020），提出因為有 功率元件、遮蔽罩、雙磊晶層、特徵導通電阻、分離閘極的重點而找出了 sgt半導體的解答。
小分子介面層在鈣鈦礦太陽能電池之應用
為了解決sgt半導體 的問題，作者鄭達鴻 這樣論述：
本研究分為兩個部分，皆使用由高雄科技大學陳永忠教授所提供的具有疏水特性之小分子電洞傳輸材料，作為介面層應用在p-i-n型的鈣鈦礦太陽能電池中。第一部分係以四種具有不同結構的新型三苯氨二苯並富烯基材料(SC-1~4)，搭配不同的側鍊基進行修飾，並利用結構上些微的差異來調控能階及電洞遷移率，在AM1.5G的條件下，NiOx / SC-4雙層電洞傳輸層於p-i-n型鈣鈦礦太陽能電池元件中有19.86%的最佳效率，遲滯現象極小可忽略。此外，在長期穩定性當中也有出色的表現，證明了三苯氨二苯並富烯小分子用於鈣鈦礦太陽能電池中能有效提升其元件性能。第二部分為三種以亞甲基芴為核心接上三苯胺、並於末端有甲氧基
團或甲硫基團的小分子電洞傳輸層材料(TPAS、TPAO&TPAD)，藉由修飾NiOX的缺陷，能使元件有更均勻、平滑的表面，進而使上層的鈣鈦礦能有更大的晶粒尺寸，提升結晶品質，有效提升介面電荷傳輸，在AM1.5G的條件下，NiOx / TPAS雙層電洞傳輸層於p-i-n型鈣鈦礦太陽能電池元件中有20.30%的最佳效率。
使用堆疊磊晶層與遮罩摻雜於溝槽分離式閘極功率金氧半場效電晶體之最佳化設計
為了解決sgt半導體 的問題，作者林怡君 這樣論述：
近年來，功率場效應電晶體(Power MOSFET)被廣泛地應用在各個領域中，隨著現代科技的進步5G行動通訊也慢慢崛起，功率半導體是必須的消費品，就像人一樣要吃柴米油鹽，機台同樣的也需要功率元件切換控制，任何與電能轉換有關的都需要功率半導體，所以改善功率損耗也是開發者們的共同目標，近年開發出溝槽分離式閘極金氧半場效電晶體(Split Gate Trench MOSFET，SGT MOSFET)，此元件能改善功率損耗的問題。本論文將會使用半導體製程與元件電性模擬軟體SILVACO，進行耐壓達200V以上的分離式閘極溝槽式金氧半場效電晶體特性模擬。首先將傳統的Trench MOSFET以及SGT
MOSFET進行比對，因結構上的差異，明顯看得出SGT MOSFET場板能更向下延伸來提升崩潰電壓以及降低導通電阻；SGT MOSFET崩潰電壓為225V，特徵導通電阻為408mΩ-mm2。再以SGT MOSFET進行結構優化，優化過程是以SGT MOSFET結構下加上雙磊晶層的設計，因降低了上下層的阻值濃度，可以使得導通電阻大幅降低，雖然在加上雙磊晶層的設計，可以降低上下層的阻值濃度來降低導通電阻，但相對崩潰電壓也會因此減少；崩潰電壓為221V，特徵導通電阻為217 mΩ-mm2。再以SGT MOSFET結構加上P-Shielded的設計，來提升崩潰電壓，P-Shielded的設計是在Tr
ench底部摻雜P型半導體，讓PN接面擴大而提升耐壓能力，但加上P-Shielded的缺點是導通電阻也會相對提高；崩潰電壓為230V，特徵導通電阻為436mΩ-mm2。最後經由SGT MOSFET的結構加上P-Shielded與雙磊晶層的最佳化設計，有效的提升元件整體的特性，崩潰電壓維持在220V的準位，特徵導通電阻降為過去文獻未見之176 mΩ-mm2。