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國立清華大學 工程與系統科學系 開執中、葉宗洸所指導 楊佳瑋的 新型核能級石墨於極高溫空氣環境下之氧化機制與微結構變化研究 (2014),提出ig gif圖關鍵因素是什麼,來自於核能級石墨、極高溫氧化現象、高溫氣冷式反應器。

而第二篇論文國立交通大學 光電工程學系 徐嘉鴻、謝文峰所指導 林碧軒的 利用同步輻射光源研究極性與非極性氧化鋅薄膜之生長與物理特性 (2012),提出因為有 氧化鋅、氧化鎂鋅、X光繞射、磁控濺鍍、雷射濺鍍的重點而找出了 ig gif圖的解答。

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新型核能級石墨於極高溫空氣環境下之氧化機制與微結構變化研究

為了解決ig gif圖的問題,作者楊佳瑋 這樣論述:

核能級石墨(Nuclear-grade graphite)因具有良好的物理性質,使之被選做為超高溫氣冷式反應器(Very High Temperature Reactor)中的爐心與結構材料。然而若發生熱氣管道(Hot Gas Duct)破裂,發生空氣進氣事故時,則會使得石墨部件嚴重的被氧化。在本篇論文之前,已有非常多的研究學者致力於研究核能級石墨在700-1100℃的氧化機制。而查閱文獻後發現,幾乎沒有相關的文獻有對大於1100℃以上的石墨氧化實驗機制做解釋,所以本實驗選用石油基焦炭製程的IG-110與瀝青焦炭基製程的NBG-18兩者相互做比較,樣品直徑為1公分、高度為1.5公分,將

石墨樣品置入高溫爐中,使樣品處於700-1600℃下的高溫,並通以流量2L/min的乾空氣,以模擬核能級石墨樣品在VHTR發生進氣事故時的高溫氧化效應。藉由紀錄在不同溫度下石墨樣品氧化速率、使用SEM觀察表面及橫截面,最後,也進一步利用Arrhenius plot 之斜率,計算石墨在不同溫度區間發生氧化反應的活化能,來推斷在不同溫度下它的氧化機制等物理現象。 本實驗在氧化速率結果方面,發現石墨在超高溫度氧化的趨勢並不像以往文獻預測的在第三區(~1100℃)後,氧化速率就達到飽和,氧化速率幾乎不再隨著溫度有顯著變化,而是當氧化溫度高於1200℃後,氧化速率再次隨著溫度急遽上升,直到氧化溫度至

1600℃時,氧化速率才再度趨緩。而從石墨表面微結構的觀察可以發現到,在1200℃以前,由於黏著劑氧化的較填充物快,氧化後的樣品表面可以清楚的觀察到填充物的顯現,而在1200℃後,表面填充物有明顯的破壞,推測在此溫度範圍下,填充物也開始無法承受高溫,產生劇烈的氧化,填充物的氧化造成進一步粗糙度的增加,增加反應面積,使氧化速率持續上升,而到最後1600℃時,當空氣遇到石墨表面,不管是填充物還是黏著劑皆會快速氧化,氧化速率只與提供空氣的量有關,所以表面差異氧化的現象變的不明顯,粗糙度降低。最後,由 Arrhenius Plot 計算斜率,活化能並不像過往文獻所預測的在第三區趨近於零,而是在1200

℃再度上升,活化能的上升可能是由於氧化機制的改變,機制轉變成大部分為填充物氧化的形式,使得活化能再度上升。由以上幾點推估,對IG-110與NBG-18兩種核能級石墨來說,在氧化溫度大於1200℃後,氧化速率再次的上升的現象之氧化機制是與以往第三區的氧化機制不同的,而這些現象在氧化溫度到達最高溫度1600℃時變的不明顯,這代表材料氧化測試溫度到達1600℃時,為材料的極限,填充物和黏著劑幾乎沒有分別了。

利用同步輻射光源研究極性與非極性氧化鋅薄膜之生長與物理特性

為了解決ig gif圖的問題,作者林碧軒 這樣論述:

本論文係研究極性與非極性氧化鋅磊晶薄膜之成長、結構與其它物理性質及其間之關聯性。本論文分成兩個部分,第一部份,主要探討利用磁控濺鍍方法成長於藍寶石基板之高品質非極性氧化鋅(ZnO)與氧化鎂鋅(MgZnO)磊晶薄膜的成長與特性。第二部分,研究利用雷射濺鍍方法成長於矽基板之極化氧化鋅磊晶薄膜之成長與特性。 非極性高品質氧化鋅薄膜的製作是近幾年氧化鋅光電元件研發的重點項目,主要目的是克服傳統極性(c面向)氧化鋅在多重量子井結構會出現之量子侷限史托克效應(Quantum Confined Stark Effect,QCSE)。量子侷限史托克效應會使量子井能帶產生歪斜,使得電子、電洞的複

合機率降低,不僅讓發光效率減弱且會使發光波長紅移。非極性氧化鋅之所以可以克服量子侷限史托克效應,是因為其極性軸-c軸平躺在成長平面上,其內建電場垂直於多重量子井的介面,因此對量子井的能帶結構不具影響力。在本研究裡,我們使用磁控濺鍍系統成功的於m面向藍寶石基板上長出高品質m面向氧化鋅磊晶薄膜,並藉由一數奈米厚低溫成長的氧化鋅作為緩衝層,有效地消除了其他非m面向的氧化鋅晶域。 a面向的氧化鋅都是另一非極性氧化鋅,可以藉由成長於r面向的藍寶石基板而獲得。我們於是利用r面向和m面向的藍寶石基板來製作a面向和m面向的非極性氧化鋅,藉由XRD、TEM、原子力顯微鏡(AFM)和低溫極化光致螢光光譜(LT P

olarized-PL)去探討和比較其結構品質、缺陷密度、表面形貌和光學特性。 氧化鋅多重量子井結構(MQWs)以氧化鋅則為位能井(well),而氧化鎂鋅則是做為位能屏障(barrier layer)的理想材料,因此在氧化鋅多重量子井結構的研發中高品質氧化鎂鋅的製作是一關鍵的課題。氧化鎂是立方體結構,氧化鋅卻是六角結構;隨著鎂的濃度增加到一定程度,氧化鎂鋅的結構會由六角變為立方體結構或形成相分離,因此具高鎂濃度的六角結構氧化鎂鋅的製作仍是一具挑戰性的課題。在本實驗裡,我們成功的在r面向和m面向的藍寶石基板上成長出r面向和m面向的單一晶相非極性氧化鎂鋅磊晶層。經由X光光電子能譜(XPS)分

析,鎂濃度高達約35%。此外,氧化鎂鋅磊晶薄膜表面的粗糙程度,對於多重量子井結構的功能影響甚鉅;我們成長的氧化鎂鋅的表面粗糙度可小於1奈米,這對多重量子井結構的成長是一大進展。 另一部分,雖然c面向的極性氧化鋅在成長多重量子井時會出現量子侷限史托克效應的問題,但有研究顯示當氧化鋅量子井的厚度大於3奈米時,量子侷限史托克效應才有重要影響,而c面向的極性氧化鋅缺陷密度遠低於非極性氧化鋅;再者,矽基板具有價格便宜、優異品質與面積大等特性,而且可與已建立的矽電子工業技術做整合,所以許多研究團隊致力於成長c面向的極性氧化鋅於矽基板上。在這部份實驗裡,我們使用雷射濺鍍系統,藉由一數奈米厚的Gd2O3

(Ga2O3)緩衝層成功的長出高品質c面向氧化鋅磊晶薄膜於矽(111)基板。在氧化鋅磊晶層裡,經由TEM的對比圖像分析,發現主要的缺陷是貫穿式的刃差排(edge-type dislocation) 和本質基面疊差(intrinsic basal plane stacking faults);這些氧化鋅磊晶層都承受拉伸應力但卻沒有裂隙(cracks)產生。