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以濕式蝕刻法製備低反射率的矽奈米結構於混和型太陽能電池效率提升之研究

為了解決ff鑽石生成器的問題，作者林政廷 這樣論述：

本研究主要是利用簡易且低成本的濕式蝕刻法來製備大面積微奈米結構陣列，並且探討濕式蝕刻法中使用不同的化學蝕刻液所造成的表面形貌差異，最後將其製備的表面結構應用於混和型太陽能電池。經由不同化學蝕刻液的控制，我們成功建構出四種不同的大面積表面奈米結構並將四種結構的物理性質分析完成。其中銀-金屬輔助化學一次蝕刻法製備出的垂直矽奈米線陣列其蝕刻速率和接觸角分別為110nm/min、123.40˚；銀-金屬輔助化學二次蝕刻法為頂部緊密排列之垂直矽奈米線陣列，其蝕刻速率和接觸角分別為52nm/min、126.00˚。最後，我們完成銅-金屬輔助化學蝕刻法的蝕刻特性研究，成功以氧化劑濃度控制結構的生成，因此能

夠製備二種結構，分別為蛾眼結構和金字塔結構，另外我們發現蝕刻速率越大，所生成結構的尺寸也就越大，且形貌會較接近金字塔結構。除此之外，本研究分析完成界面活性劑對於混和型太陽能電池的介面改善方式，進而提高效率，也進一步的對於高分子導電液加入各項溶劑(DMSO、乙二醇、聚乙二醇)對於電阻的改善做最佳化分析，藉此可發高分子導電液加入乙二醇後，對於電阻的改善最為明顯。而使用銀作為觸媒進行金屬輔助化學一次蝕刻法，製備出垂直的矽奈米線陣列，作為混和型太陽能電池的光電轉換效率為10.16%；銀-金屬輔助化學二次蝕刻法所製備出的垂直矽奈米線陣列，作為混和型太陽能電池的光電轉換效率為6.01%；銅-金屬輔助化學蝕

刻法製備出的蛾眼結構及金字塔結構，分別作為混和型太陽能電池的光電轉換效率10.78%和8.80%。

終極鑽石碟薄化矽晶圓之加工特性研究

為了解決ff鑽石生成器的問題，作者張弘杰 這樣論述：

使用鑽石刀具薄化晶圓到一定程度會有表面應力集中及裂痕的出現，需要藉由不同的後續加工，例如：化學機械拋光(CMP)、蝕刻…等，增強晶圓強度及減少表面損傷，所以晶圓薄化將使加工成本增加，所以有效改善表面內應力的產生以及加工成本將是首要解決的問題。過去用來薄化矽晶圓的鑽石刀具，因切刃高度不一致造成切削深度不同、工件受力分布不均，使得某些區域產生嚴重的破壞，終極鑽石碟(Ultimate Diamond Disk，UDD)是刀片式設計，刀片平均高度大約差數個微米(micrometer)，刀刃高度一致，將使切削力分布均勻，工件表面減少刮痕和損傷層並延長UDD的使用壽命。本研究將觀察UDD切削矽晶圓後，其

表面形貌以及次表面裂痕，了解轉速與切深對矽晶圓表面裂痕生成之影響，藉由UDD切削生成之切屑以及量測切削力與比切削能得到其移除機制(延性加工或脆性破壞)與加工特性，並觀察UDD磨耗後之形貌及磨耗特性。