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崑山科技大學 光電工程研究所 林俊良所指導 藍友成的 透過封裝膠摻雜二氧化鋯與多種螢光粉製作優異光熱特性之發光二極體 （2016），提出NUV 男 裝關鍵因素是什麼，來自於矽膠摻雜二氧化鋯、塗佈螢光粉、演色性、紫外光發光二極體、光學可靠度、相對熱導率。
而第二篇論文國立中興大學 精密工程學系所 洪瑞華所指導 林承逸的 奈米銀顆粒提升近紫外光發光二極體發光效率之研究 （2013），提出因為有 表面電漿；光萃取效率；近紫外光發光二極體；氮化鎵的重點而找出了 NUV 男 裝的解答。
透過封裝膠摻雜二氧化鋯與多種螢光粉製作優異光熱特性之發光二極體
為了解決NUV 男 裝 的問題，作者藍友成 這樣論述：
本論文共進行三種發光二極體 (LED) 封裝技術相關研究。實驗一：探討不同封裝矽膠對紫外光 LED 光學可靠度的影響。實驗二：於封裝膠中加入二氧化鋯 (ZrO2) 奈米粒、改變黃色螢光粉的相對位置及添加紅色螢光粉以提升暖白光 LED 性能與光品質。實驗三：於近紫外光(NUV) LED (395 nm) 的封裝膠中加入 ZrO2 奈米粒及兩款近紫外光激發之螢光粉，提升封裝膠的熱導率，提升 NUV LED 的光電特性。實驗一 : 研究三款封裝矽膠應用於 UV (370 nm) LED 之光學可靠度。封裝矽膠分別為苯基、甲基、抗紫外光矽膠。分別在室溫 (25oC)、高溫高濕 (85oC/RH-85
%) 環境下，持續以電流 150 mA 點亮 1008 小時；室溫環境下，光輸出功率維持率分別為 44.99%、91.55%、79.65%；高溫高濕環境下，光輸出功率維持率分別為29.46%、53.47%、56.99%。實驗二 : 於封裝膠中加入 ZrO2 奈米粒以提升藍光氮化銦鎵(InGaN) LED 光取出效率，獲得 ZrO2 奈米粒最佳摻雜濃度為 0.1wt%，對應光輸出功率為 450.69 mW (波長450 nm)，相較於封裝膠中未摻雜ZrO2 奈米粒之 LED，光輸出功率相對提升了 27.3%，本論文中接續之相關實驗，ZrO2 奈米粒摻雜濃度固定在 0.1wt%。螢光粉在封裝膠中的
分布與相對位置，會影響 LED 光輸出通量，比較釔鋁石榴石(YAG) 黃色螢光粉均勻混合於封裝膠 (LED II) 與塗佈於晶片表面 (LED III) 兩種結構之光輸出通量，LED III 具有較高的光輸出通量值137.35 lm，相對於 LED II 提升了 17.5%。僅有 YAG 黃色螢光粉所製作的白光 LED，無法提供足夠的光演色性 (Ra)，透過將 Eu2+ 紅色螢光粉均勻混入封裝膠中且 YAG 黃色螢光僅塗布 LED 晶片表面在，在相關色溫 3700K，相較於 YAG 黃色螢光粉均勻混入封裝膠之白光LED，可將 Ra 由 47 提升至 90，其中正紅 (R9)、白膚色 (R13)
、黃膚色 (R15)，分別由 0 提升至 90， 46 提升至 93，34 提升至 90。實驗三 : ZrO2 奈米粒除了具有光散射特性外，也具有高熱導率 (3 W/mK)。封裝膠透過摻雜 ZrO2 奈米粒後，應用於 NUV LED (395 nm)之封裝，熱阻有效降低 51.3%，經實驗推算封裝膠相對熱導率可以提升 10.5%。使用兩款均為矽酸鹽類螢光粉製作白光 LED，分別為藍色螢光粉 ((Ba,Sr,Ca)3MgSi2O8:Eu) 與黃色螢光粉 ((Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu)，激發波長均為 400 nm，分別發射 460 nm 藍光與 550 nm 黃光。比較兩螢光粉均勻混合於
封裝膠 (LED I) 與兩螢光粉均勻混合於封裝膠具有 ZrO2 奈米粒層 (LED II) 兩種結構之光輸出通量，LED II 具有較高的光輸出通量值 109.44 lm，相對於 LED I 提升了 3.79%。熱阻經量測計算，有效降低 54.9%。比較兩螢光粉均勻混合於封裝膠且有透鏡結構 (LED III) 與兩螢光粉均勻混合於封裝膠且有透鏡結構具有 ZrO2奈米粒層 (LED IV) 兩種結構之光輸出通量，LED IV 具有較高的光輸出通量值 98.65 lm，相對於 LED III 提升了 0.88%。熱阻經量測計算，有效降低 2.35%。在不同操作電流下之光輸出通量，具有 ZrO2
奈米粒層之兩款封裝結構較未具有 ZrO2 奈米粒層之光輸出通量高且可以操作於更高電流，分別為 LED II 在 500 mA 有 113.68 lm，LED IV 在 500 mA 有 105.83 lm。
奈米銀顆粒提升近紫外光發光二極體發光效率之研究
為了解決NUV 男 裝 的問題，作者林承逸 這樣論述：
近年來近紫外光發光二極體已被廣為運用及研究，如紫外光固化系統、生物醫學儀器、偽造鈔票檢測等，其中更可應用近紫外光搭配紅、綠、藍螢光粉產生白光，發展深具潛力之固態照明系統。然而隨著近紫外光的發光波長縮短，光子主要為橫向傳播之TM偏振光。TM偏振光由於入射角較大，容易形成全反射現象，因此近紫外光發光二極體的光萃取效率低於可見光發光二極體。本研究利用旋轉塗佈的方式將奈米銀塗層塗佈於p型氮化鎵上，於磊晶層表面自然形成金屬光柵結構，接著利用電子束蒸鍍法蒸鍍200nm的銦錫氧化物於奈米銀塗層之上，當作歐姆接觸層並完成水平結構元件，由於奈米銀塗層可形成區域性表面電漿(localized surface p
lasmon)，並與TM偏振光產生耦合效應，可有效提升發光二極體元件光萃取效率，相較於傳統近紫外光發光二極體元件，可提升約40%的光輸出功率，且元件仍保有良好的電特性。