金屬分子的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列推薦必買和特價產品懶人包

有機金屬化學解題良伴

為了解決金屬分子的問題，作者洪豐裕 這樣論述：

　　本書可以視為學習有機金屬化學的互輔教材。讀者會發現有些類似題目在不同章節中以相近的形式出現，然而其解答方式會稍有不同，且由淺入深，希望能加深讀者的印象。為了讓讀者能很快地回顧每一章節簡要內容，「練習題」前附有「本章重點摘要」。希望這本習題解答能帶給正在研習或已經研習過有機金屬化學這門學科的學子們一個自我比對練習的機會，進而從中更深入了解有機金屬化學的原理及應用。

金屬分子進入發燒排行的影片

單層金屬原子修飾電極間的橋接分子之量子輸送：表面電子結構效應之研究

為了解決金屬分子的問題，作者古孟文 這樣論述：

過渡金屬的d原子軌域在表面吸附中扮演重要的角色。如何調控金屬表面的電子結構使分子形成穩定的金屬－分子－金屬系統並觀測其量子輸送的現象是一項重要的課題。通常由d軌域形成的d能帶越窄，表面吸附效應越強，分子軌域(molecular orbital, MO)越容易分裂為反鍵結軌域(anti-bonding MO)以及鍵結軌域(bonding MO)。由於反鍵結軌域相對靠近金屬的費米能階以致分子－電極間的能階匹配(energy-level alignment)程度提升，金屬－分子－金屬系統的電子輸送效率增加。為系統性探討表面電子結構對於量子傳輸效率之影響，本篇論文提出利用低電位沉積法(underpo

tential deposition)於金電極表面修飾銀（或銅）的單層原子膜使電極表面的d能帶變窄以致分子－電極間的能階匹配程度有所提升。吾人運用導電式原子力顯微術(conductive atomic force microscopy)測量飽和烷雙羧酸分子(HOOC(CH2)nCOOH, n = 4, 6, 8)的導電值，觀察到羧酸分子在修飾電極上的接觸電導(contact conductance)比在純金電極上高出一個數量級。常見的單能階模型(single-level model)無法充分解釋電極的表面電子結構和能階匹配程度間的關聯性。為驗證實驗結果吾人結合Nørskov提出之d能帶理論(d

-band theory)，利用Newns-Anderson模型進行預測，並得到和實驗結果相符的趨勢。此研究揭示表面吸附效應對單分子電性的影響，並為尋找理想的分子－電極接觸位向(contact configuration)提供一種系統性、基於表面吸附概念的設計思路。

有機金屬化學

為了解決金屬分子的問題，作者洪豐裕 這樣論述：

　　近代有機金屬化學（OrganometallicChemistry）的發展肇因於1951年鐵辛（Ferrocene）的發現。它獨特的構型正如其他許許多多有機金屬化合物一樣，引發化學家的好奇心及想像力，期間更激發化學家努力發展出新的鍵結理論，來闡述這些分子特殊的鍵結模式。更有甚者，這個領域發展的強勁動力和有機金屬化合物的優異催化能力有相當大的關連。化學家將一些有機金屬化合物當觸媒應用在工業合成上，早已樹立了許多成功的典範。利用具有光學活性的有機金屬化合物當觸媒，在近幾十年來熱門的「不對稱合成」上扮演不可或缺的角色。有機金屬化學超過半世紀的蓬勃發展，無疑地是無數化學家腦力激盪

及辛勤努力工作下的豐碩成果。 本書特色 　　1.利用具有光學活性的有機金屬化合物當觸媒，在近幾十年來熱門的「不對稱合成」上扮演不可或缺的角色。 　　2.有機金屬化學超過半世紀的蓬勃發展，無疑地是無數化學家腦力激盪及辛勤努力工作下的豐碩成果。

以分子束磊晶成長高品質p型氮化鎵之研究

為了解決金屬分子的問題，作者郭旻宜 這樣論述：

本論文以電漿輔助式分子束磊晶在Fe-doped GaN template上成長高品質p型氮化鎵，我們以控制分子束源擋板週期性開關的方式成長Mg-GaN樣品，且採用了不同的擋板開關模式，分別為mode 1的N-plasma持續性的開啟，而Mg、Ga金屬分子束以擋版週期性開關的方式成長，以及mode 2的N-plasma與Mg分子束源保持開啟，僅調控Ga金屬分子束擋版。樣品藉由SEM、霍爾量測、X-ray繞射、PL光譜及Raman分析，觀察其表面形貌、電性、磊晶品質、光性，並由量測結果判斷樣品Mg摻雜GaN的效率。所有樣品可分成改變金屬流量、成長溫度與不同週期的擋板開關方式成長三個系列。霍爾量測

結果樣品皆為p型，PL光譜與Raman量測中都有觀察到Mg摻雜GaN的訊號。電性特性方面，電洞載子濃度最高的樣品可達6.50×10^17 〖cm〗^(-3)，而以mode 2的方式成長，樣品的載子遷移率有明顯提升，最高得到36.16〖cm〗^2/Vs，並且由X-ray繞射亦可確認以mode 2方式成長，有較佳的結晶高品質。綜合實驗結果呈現，以源擋板週期性開關的方式成長Mg-GaN，能有效得到樣品p型的導電性，並且透過不同擋版開關的模式比較，我們掌握了MBE理想高品質p型氮化鎵的成長趨勢。